IRFUC20

Symbol Micros: TIRFUC20
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Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 7Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFUC20PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFUC20 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,7137 0,5282 0,3920 0,3357 0,3099
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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