IRFUC20
Symbol Micros:
TIRFUC20
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 7Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFUC20PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFUC20 RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7091 | 0,5249 | 0,3896 | 0,3336 | 0,3079 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFUC20PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
375 stk.
| Anzahl Stück | 375+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3659 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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