IRFZ14

Symbol Micros: TIRFZ14
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200 mOhm; 10A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ14PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFZ14 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5892 0,3686 0,2888 0,2723 0,2559
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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