IRFZ24N

Symbol Micros: TIRFZ24
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 70mOhm; 17A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ24PBF; IRFZ24NPBF; IRFZ24NTRPBF; IRFZ24NSTRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ24NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5282 0,3193 0,2465 0,2221 0,2113
Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ24N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
26 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5282 0,3193 0,2465 0,2221 0,2113
Standard-Verpackung:
50/600
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ24NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5174
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ24NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
6287 stk.
Anzahl Stück 700+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2113
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ24NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1330 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2629
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT