IRFZ34N
Symbol Micros:
TIRFZ34n
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ34NPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34N RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5962 | 0,3747 | 0,2922 | 0,2757 | 0,2592 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34N RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5962 | 0,3747 | 0,2922 | 0,2757 | 0,2592 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
43550 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2592 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1580 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3082 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-06-30
Anzahl Stück: 200
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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