IRFZ34N

Symbol Micros: TIRFZ34n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ34NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Max. Drainstrom: 29A
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34N RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5903 0,3710 0,2893 0,2730 0,2567
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Max. Drainstrom: 29A
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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