IRFZ34N

Symbol Micros: TIRFZ34n

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ34NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Max. Drainstrom:	29A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6722	0,4265	0,3361	0,3060	0,2921

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6722	0,4265	0,3361	0,3060	0,2921

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

42750 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2921

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1990 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3321

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

91767 stk.

Anzahl Stück	600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2921

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3300 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2921

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Max. Drainstrom:	29A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT