IRFZ34N

Name: TIRFZ34n TIRFZ34n
Brand: Infineon
SKU: TIRFZ34n
Price: 0.3307 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFZ34n

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ34NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	29A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6693	0,4247	0,3347	0,3047	0,2908

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6693	0,4247	0,3347	0,3047	0,2908

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

42750 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2908

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1980 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3307

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

95470 stk.

Anzahl Stück	600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2908

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

5300 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2908

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	29A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT