IRFZ34N
Symbol Micros:
TIRFZ34n
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ34NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 29A |
Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34N RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6742 | 0,4229 | 0,3313 | 0,3125 | 0,2937 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34N RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6742 | 0,4229 | 0,3313 | 0,3125 | 0,2937 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
720 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2937 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
58216 stk.
Anzahl Stück | 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2937 |
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 29A |
Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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