IRFZ44E

Symbol Micros: TIRFZ44e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 23mOhm; 48A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44EPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44E RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1024 0,7334 0,5661 0,5478 0,5248
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole