IRFZ44E

Symbol Micros: TIRFZ44e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 23mOhm; 48A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44EPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44E RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1282 0,7506 0,5794 0,5606 0,5371
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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