IRFZ44NL

Symbol Micros: TIRFZ44nl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44NLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT