IRFZ44NS smd

Symbol Micros: TIRFZ44ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44NSPBF; IRFZ44NSTRLPBF; IRFZ44NSTRRPBF; IRFZ44NSPBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Max. Drainstrom: 49A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44NSTRL RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
790 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0687 0,7117 0,5880 0,5297 0,5087
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Standard-Verpackung:
800
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Max. Drainstrom: 49A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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