IRFZ44V

Symbol Micros: TIRFZ44v
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 16,5 mOhm; 55A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44VPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44V RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2526 0,9572 0,7917 0,6948 0,6594
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Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44VPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5800 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6594
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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