IRFZ44V

Symbol Micros: TIRFZ44v
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 16,5 mOhm; 55A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44VPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44V RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3636 0,9557 0,7632 0,7265 0,7173
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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