IRFZ44Z

Symbol Micros: TIRFZ44z

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 13,9 mOhm; 51A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44ZPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	13,9mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44ZPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

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60 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9137	0,5778	0,4557	0,4157	0,3969

Widerstand im offenen Kanal:	13,9mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT