IRFZ46NPBF

Symbol Micros: TIRFZ46

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 16,5 mOhm; 53A; 107W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ46NPBF; IRFZ 46N PBF; IRFZ46N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	16,5mOhm
Max. Drainstrom:	53A
Maximaler Leistungsverlust:	107W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ46NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9313	0,6837	0,5470	0,4692	0,4433

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFZ 46 N PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

17 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6718

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ46NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

8400 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4433

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ46NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4433

Widerstand im offenen Kanal:	16,5mOhm
Max. Drainstrom:	53A
Maximaler Leistungsverlust:	107W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT