IRFZ46NPBF

Symbol Micros: TIRFZ46
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 16,5 mOhm; 53A; 107W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ46NPBF; IRFZ 46N PBF; IRFZ46N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ46NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9313 0,6837 0,5470 0,4692 0,4432
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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