IRFZ46NL

Symbol Micros: TIRFZ46nl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 16,5mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT