IRFZ48NS

Symbol Micros: TIRFZ48ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48NSPBF-GURT; IRFZ48NSTRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	64A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NS RoHS IRFZ48NSTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1462	0,8745	0,7232	0,6334	0,6027

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	1600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6027

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

9600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6027

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

28680 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6027

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	64A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD