IRFZ48NS

Symbol Micros: TIRFZ48ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48NSPBF-GURT; IRFZ48NSTRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Max. Drainstrom:	64A
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NS RoHS IRFZ48NSTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1317	0,8633	0,7140	0,6253	0,5950

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Max. Drainstrom:	64A
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD