IRG4BC20S

Symbol Micros: TIRG4bc20s

Gehäuse: TO220

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20SPBF;

Parameter

Gate-Ladung:	40nC
Maximale Verlustleistung:	60W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	38A
Max. Kollektor-Strom:	19A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BC20S RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,7542	1,3027	1,1381	1,0582	1,0323

Gate-Ladung:	40nC
Maximale Verlustleistung:	60W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	38A
Max. Kollektor-Strom:	19A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT