IRG4BC30K

Symbol Micros: TIRG4bc30k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 100nC
Maximale Verlustleistung: 100W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 58A
Max. Kollektor-Strom: 28A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 100nC
Maximale Verlustleistung: 100W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 58A
Max. Kollektor-Strom: 28A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT