IRG4BC30W

Symbol Micros: TIRG4bc30w

Gehäuse: TO220

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 76nC; -55°C~150°C; IRG4BC30WPBF;

Parameter

Gate-Ladung:	76nC
Maximale Verlustleistung:	100W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	92A
Max. Kollektor-Strom:	23A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier

Gate-Ladung:	76nC
Maximale Verlustleistung:	100W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	92A
Max. Kollektor-Strom:	23A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT