IRG4BC30W

Symbol Micros: TIRG4bc30w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 76nC; -55°C~150°C; IRG4BC30WPBF;
Parameter
Gate-Ladung: 76nC
Maximale Verlustleistung: 100W
Max. Kollektor-Strom: 23A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 92A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BC30W RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9626 1,6444 1,4620 1,3497 1,3076
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 76nC
Maximale Verlustleistung: 100W
Max. Kollektor-Strom: 23A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 92A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT