IRG4PF50WPBF-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TIRG4pf50w CNB
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 900V; 20V; 60A; 120A; 5,0V~6,0V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IRG4PF50WPBF; SP001533582;
Parameter
| Gate-Ladung: | 315nC |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5V ~ 6V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | CHIPNOBO |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate-Ladung: | 315nC |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5V ~ 6V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | CHIPNOBO |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 900V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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