IRG4PF50WPBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRG4pf50w CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 900V; 20V; 60A; 120A; 5,0V~6,0V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IRG4PF50WPBF; SP001533582;
Parameter
Gate-Ladung: 315nC
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5V ~ 6V
Gehäuse: TO247
Hersteller: CHIPNOBO
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRG4PF50WPBF-CN RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 2,5231 2,1671 1,9606 1,8585 1,8015
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 315nC
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5V ~ 6V
Gehäuse: TO247
Hersteller: CHIPNOBO
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 900V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT