IRG7PH35UD1

Symbol Micros: TIRG7ph35ud1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 50A; 150A; 179W; 3,0V~6,0V; 130nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 130nC
Maximale Verlustleistung: 179W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG7PH35UD1 RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
13 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,7107 3,1899 2,9671 2,8803 2,8545
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Gate-Ladung: 130nC
Maximale Verlustleistung: 179W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole