IRGB14C40L

Symbol Micros: TIRGB14c40l

Gehäuse: TO220

IGBT-Transistor ; 20A; 125W; 1,3V~2,2V; 27nC; -40°C~175°C; IRGB14C40LPBF;

Parameter

Gate-Ladung:	27nC
Maximale Verlustleistung:	125W
Max. Kollektor-Strom:	20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	1,3V ~ 2,2V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRGB14C40LPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	3,3602	2,8876	2,6854	2,6383	2,5842

Gate-Ladung:	27nC
Maximale Verlustleistung:	125W
Max. Kollektor-Strom:	20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	1,3V ~ 2,2V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Montage:	THT