IRGB14C40L

Symbol Micros: TIRGB14c40l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 20A; 125W; 1,3V~2,2V; 27nC; -40°C~175°C; IRGB14C40LPBF;
Parameter
Gate-Ladung: 27nC
Maximale Verlustleistung: 125W
Max. Kollektor-Strom: 20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 1,3V ~ 2,2V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 27nC
Maximale Verlustleistung: 125W
Max. Kollektor-Strom: 20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 1,3V ~ 2,2V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Montage: THT