IRGB15B60KD

Symbol Micros: TIRGB15b60kd

Gehäuse: TO220

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 31A; 62A; 208W; 3,5V~5,5V; 84nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	84nC
Maximale Verlustleistung:	208W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	62A
Max. Kollektor-Strom:	31A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 5,5V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier

Gate-Ladung:	84nC
Maximale Verlustleistung:	208W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	62A
Max. Kollektor-Strom:	31A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 5,5V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT