IRGB20B60PD1
Symbol Micros:
TIRGB20b60pd1
Gehäuse: TO220
40A; 600V; 215W; IGBT w/ Diode
Parameter
| Gate-Ladung: | 102nC |
| Maximale Verlustleistung: | 215W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 5,0V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Gate-Ladung: | 102nC |
| Maximale Verlustleistung: | 215W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 5,0V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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