TIRGB30b60k

Symbol Micros: TIRGB30b60k

Gehäuse: TO220

Trans IGBT ; 600V; 20V; 78A; 120A; 370W; 3,5V~5,5V; 153nC; -55°C~175°C;

Parameter

Gate-Ladung:	153nC
Maximale Verlustleistung:	370W
Max. Kollektor-Strom:	78A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 5,5V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier

Gate-Ladung:	153nC
Maximale Verlustleistung:	370W
Max. Kollektor-Strom:	78A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 5,5V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V