IRGB6B60KD

Name: TIRGB6b60Kd TIRGB6b60Kd
Brand: International Rectifier
SKU: TIRGB6b60Kd
Price: 1.0417 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRGB6b60Kd

Gehäuse: TO220AB

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 18A; 26A; 90W; 3,5V~5,5V; 18,2nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	18,2nC
Maximale Verlustleistung:	90W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	26A
Max. Kollektor-Strom:	18A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 5,5V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRGB6B60KD RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,7706	1,4132	1,2086	1,0864	1,0417

Gate-Ladung:	18,2nC
Maximale Verlustleistung:	90W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	26A
Max. Kollektor-Strom:	18A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 5,5V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT