IRGP50B60PD1

Symbol Micros: TIRGP50B60pd1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 75A; 150A; 390W; 3,0V~5,0V; 308nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 308nC
Maximale Verlustleistung: 390W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Max. Kollektor-Strom: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 5,0V
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRGP50B60PD1 RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
11 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 5,3425 4,5947 4,2726 4,1456 4,1103
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Gate-Ladung: 308nC
Maximale Verlustleistung: 390W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Max. Kollektor-Strom: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 5,0V
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole