IRL1004

Symbol Micros: TIRL1004
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 9mOhm; 130A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL1004PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL1004 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,6177 2,1447 1,8684 1,6998 1,6366
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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