IRL1404Z

Symbol Micros: TIRL1404z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 5,9 mOhm; 200A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL1404ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,9mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL1404Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
260 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,6328 2,0229 1,7968 1,7191 1,6461
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 5,9mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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