IRL1404Z

Symbol Micros: TIRL1404z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 5,9 mOhm; 200A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL1404ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,9mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 5,9mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT