IRL1404ZS

Symbol Micros: TIRL1404zs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0.0031Ω IRL1404ZSPBF IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSPBF-GURT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,1mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL1404ZSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8131
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL1404ZSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
960 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2087
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,1mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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