IRL3705N

Symbol Micros: TIRL3705n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL3705NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	18mOhm
Max. Drainstrom:	89A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Max. Gate-Source Spannung:	16V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

5410 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,8744

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

13193 stk.

Anzahl Stück	300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4558

Widerstand im offenen Kanal:	18mOhm
Max. Drainstrom:	89A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT