IRL3705N

Symbol Micros: TIRL3705n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL3705NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 89A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
144 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2913 0,9855 0,8162 0,7150 0,6798
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1850 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6798
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
254450 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6798
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2647 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6798
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 89A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT