IRL3705N
Symbol Micros:
TIRL3705n
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL3705NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
Max. Drainstrom: | 89A |
Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
144 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2913 | 0,9855 | 0,8162 | 0,7150 | 0,6798 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1850 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6798 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
254450 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,6798 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2647 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6798 |
Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
Max. Drainstrom: | 89A |
Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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