IRL3705ZPBF

Symbol Micros: TIRL3705z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 12mOhm; 86A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT