IRL40T209ATMA1 

Symbol Micros: TIRL40T209
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TOLL-8
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MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,8mOhm
Max. Drainstrom: 300A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TOLL
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 0,8mOhm
Max. Drainstrom: 300A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TOLL
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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