IRL520N
Symbol Micros:
TIRL520n
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 260 mOhm; 10A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL520NPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 260mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 48W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 260mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 48W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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