IRL530NPBF INFINEON

Symbol Micros: TIRL530n

Gehäuse: TO220AB

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 150 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; VERALTET;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	16V

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT