IRL530NS
Symbol Micros:
TIRL530ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-HEXFET-Transistor; 100V; 20V; 100 mOhm; 17A; 3,8 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRL530NSTRLPBF; IRL530NSPBF; IRL530NSPBF-GURT; IRL530NSTRRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL530NSTRLPBF RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1775 | 0,7834 | 0,6474 | 0,5840 | 0,5606 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL530NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1150 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5606 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL530NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5606 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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