IRL630

Symbol Micros: TIRL630
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 200V; 10V; 500 mOhm; 9A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRL630PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRL630 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
88 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9280 0,6813 0,5450 0,4675 0,4417
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRL630PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
700 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4417
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT