IRL6342PBF International Rectifier
Symbol Micros:
TIRL6342
Gehäuse: SOIC08
N-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRL6342TRPBF; IRL6342PBF SPQ96; IRL6342PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Hersteller: VBsemi
Hersteller-Teilenummer: IRL6342TRPBF-VB RoHS
Gehäuse: SOIC08t/r
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8127 | 0,5145 | 0,4052 | 0,3688 | 0,3529 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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