IRL6372TRPBF JGSEMI
Symbol Micros:
TIRL6372 JGS
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 38mOhm; 8,5A; 3,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRL6372PBF; IRL6372TRPBF; SP001568406; SP001569038;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,7W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-03-13
Anzahl Stück: 400
| Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,7W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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