IRL6372TR

Symbol Micros: TIRL6372TR VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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30V 8.5A 16mOhm @ 10V,8.5A 2N-CHANNEL SO-8 MOSFETs ROHS IRL6372TR-VB; IRL6372TRPBF-VB; IRL6372TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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