IRL640

Symbol Micros: TIRL640

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 200V; 10V; 270 mOhm; 17A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRL640PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRL640PBF Gehäuse: TO220

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300 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7696

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT