IRL640
Symbol Micros:
TIRL640
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 200V; 10V; 270 mOhm; 17A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRL640PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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