IRL640S
Symbol Micros:
TIRL640s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 200V 17A 3.1W 0.18Ω IRL640SPBF IRL640STRLPBF IRL640STRRPBF
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRL640SPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
375 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8848 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRL640STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7462 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRL640SPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
509 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7462 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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