IRL7472L1TRPBF

Symbol Micros: TIRL7472l1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DirectFET
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 59A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,7mOhm
Max. Drainstrom: 375A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL7472L1TRPBF Gehäuse: DirectFET  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6110
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 0,7mOhm
Max. Drainstrom: 375A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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