IRL7472L1TRPBF

Symbol Micros: TIRL7472l1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DirectFET
Trans MOSFET N-CH Si 40V 59A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,7mOhm
Max. Drainstrom: 375A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 0,7mOhm
Max. Drainstrom: 375A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD