IRL7833

Symbol Micros: TIRL7833
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,5 mOhm; 150A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL7833PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL7833 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
265 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8464 1,5117 1,3179 1,1978 1,1540
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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