IRLB3036

Symbol Micros: TIRLB3036
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Ersatz: IRLB3036PBF; IRLB3036GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 195A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB3036PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 2,2263 1,7655 1,5953 1,5362 1,4842
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Standard-Verpackung:
50/250
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB3036PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
350 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5880
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB3036PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4380 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4842
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 195A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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