IRLB4132

Symbol Micros: TIRLB4132
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,5 mOhm; 150A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB4132PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Max. Drainstrom: 150A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLB4132PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8251 0,5223 0,4114 0,3744 0,3582
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4132PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
431 stk.
Anzahl Stück 400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3605
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Max. Drainstrom: 150A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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