IRLB8721PBF

Symbol Micros: TIRLB8721

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 16mOhm; 62A; 65W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SP001558140;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	62A
Maximaler Leistungsverlust:	65W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	62A
Maximaler Leistungsverlust:	65W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT