IRLB8721PBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRLB8721 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,5mOhm; 100A; 90W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLB8721PBF; SP001558140;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRLB8721PBF-CN RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,6504 0,4106 0,3252 0,2896 0,2825
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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