IRLB8743

Symbol Micros: TIRLB8743

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,2 mOhm; 150A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB8743PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,2mOhm
Max. Drainstrom:	150A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	300+	600+
Nettopreis (EUR)	1,1101	0,7386	0,5724	0,5355	0,5285

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

480 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,8100

Widerstand im offenen Kanal:	4,2mOhm
Max. Drainstrom:	150A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7916	0,4962	0,3900	0,3670	0,3439