IRLD014PBF
Symbol Micros:
TIRLD014
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 1,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
| Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
| Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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