IRLD014PBF
Symbol Micros:
TIRLD014
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 1,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRLD014 RoHS
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5826 | 0,3242 | 0,2537 | 0,2396 | 0,2326 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRLD014PBF
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Externes Lager:
1050 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3394 |
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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