IRLD014PBF

Symbol Micros: TIRLD014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 1,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLD014 RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5821 0,3239 0,2535 0,2394 0,2324
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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