IRLHM630TRPBF

Symbol Micros: TIRLHM630
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PQFN33
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 4,5 mOhm; 21A; 2,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 2,7W
Gehäuse: PQFN33
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLHM630TR RoHS Gehäuse: PQFN33 Datenblatt
Auf Lager:
44 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9470 1,5534 1,3294 1,1951 1,1456
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 2,7W
Gehäuse: PQFN33
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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