IRLL014N smd

Symbol Micros: TIRLL014n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 280 mOhm; 2,8A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Max. Drainstrom: 2,8A
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,3713 0,2422 0,1727 0,1506 0,1430
Standard-Verpackung:
600
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
41 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3713 0,2032 0,1591 0,1471 0,1409
Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 250+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,3713 0,2422 0,1727 0,1485 0,1405
Standard-Verpackung:
1200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
44150 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1862
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
90000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1430
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
315000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1430
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Max. Drainstrom: 2,8A
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD