IRLL014N smd
 Symbol Micros:
 
 TIRLL014n 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: SOT223
 
 
 
 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 280 mOhm; 2,8A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT; 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 2,8A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W | 
| Gehäuse: | SOT223 | 
| Hersteller: | Infineon (IRF) | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V | 
| Transistor-Typ: | N-MOSFET | 
 
 
 Hersteller: International Rectifier
 
 
 Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTR RoHS
 
 
 Gehäuse: SOT223t/r
 
 
 
 	
 		
 	
 	 
 
 Datenblatt 
 
 
 
 
 
 Auf Lager:
 
 
 1100 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1200+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4416 | 0,2889 | 0,2074 | 0,1792 | 0,1696 | 
 
 
 Hersteller: Infineon
 
 
 Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF RoHS
 
 
 Gehäuse: SOT223t/r
 
 
 
  
 
 
 
 
 
 Auf Lager:
 
 
 41 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4651 | 0,2819 | 0,2161 | 0,1950 | 0,1856 | 
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 2,8A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W | 
| Gehäuse: | SOT223 | 
| Hersteller: | Infineon (IRF) | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V | 
| Transistor-Typ: | N-MOSFET | 
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V | 
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C | 
| Montage: | SMD | 
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