IRLL014N smd

Symbol Micros: TIRLL014n

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 280 mOhm; 2,8A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	2,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

41 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4679	0,2835	0,2174	0,1961	0,1867

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

1100 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	250+	1200+
Nettopreis (EUR)	0,4442	0,2906	0,2086	0,1803	0,1706

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

10900 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1867

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

240000 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1867

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

235000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1867

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	2,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3379	0,2219	0,1595	0,1366	0,1300