IRLL024N smd

Symbol Micros: TIRLL024

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 100 mOhm; 4,4A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL024NPBF-GURT; IRLL024NTRPBF; IRLL024N-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	4,4A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r

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1335 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5542	0,3507	0,2759	0,2525	0,2408

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF Gehäuse: SOT223

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2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2408

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

146500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2408

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

9850 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2547

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	4,4A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD