IRLL2703

Symbol Micros: TIRLL2703
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 70mOhm; 5,5A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL2703TRPBF; IRLL2703PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL2703TR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
69 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5864 0,3260 0,2557 0,2416 0,2341
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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